IXTN200N10L2
Модуль; одиночний транзистор; 100В; 178А; SOT227B; пригвинчуваний
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXTN200N10L2
Символ TME:
IXTN200N10L2
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Напруга сток-джерело | 100В | |
Струм стока | 178А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Поляризація | польовий | |
Опір в стані провідності | 11мОм | |
Струм стоку в імпульсі | 500А | |
Потужність розсіювання | 830Вт | |
Технологія | Linear L2™ | |
Вид каналу | збагачений | |
Заряд затвора | 540нКл | |
Час готовності | 245нс | |
Напруга затвор-джерело | ±30В | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто29.6 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules IXYS,
* IXTN200N10L2Кількість штук (Кратність: 1)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 52.52 USDЦіна брутто для партій від 1 pcs - 52.52 USD
Ціна нетто для партій від 100 pcs - 46.53 USDЦіна брутто для партій від 100 pcs - 46.53 USD
Спосіб пакування від виробникаТубус = 20 pcs