IXYN100N65A3
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 650В; Ic: 100А; SOT227B
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXYN100N65A3
Символ TME:
IXYN100N65A3
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | IGBT | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Зворотна напруга макс. | 650В | |
Струм колектора | 100А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Напруга затвор - емітер | ±20В | |
Струм колектора в імпульсі | 460А | |
Потужність розсіювання | 600Вт | |
Технологія | GenX3™, XPT™ | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто30 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Модулі IGBT IXYS,
* IXYN100N65A3Кількість штук (Кратність: 300)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 300 pcs - 18.91 EURЦіна брутто для партій від 300 pcs - 18.91 EUR