IXYN75N65C3D1
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 650В; Ic: 75А; SOT227B
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXYN75N65C3D1
Символ TME:
IXYN75N65C3D1
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | IGBT | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Зворотна напруга макс. | 650В | |
Струм колектора | 75А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Напруга затвор - емітер | ±20В | |
Струм колектора в імпульсі | 360А | |
Потужність розсіювання | 600Вт | |
Технологія | GenX3™, XPT™ | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто30 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Модулі IGBT IXYS,
* IXYN75N65C3D1Кількість штук (Кратність: 1)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 35.99 USDЦіна брутто для партій від 1 pcs - 35.99 USD
Ціна нетто для партій від 3 pcs - 32.38 USDЦіна брутто для партій від 3 pcs - 32.38 USD
Ціна нетто для партій від 10 pcs - 28.65 USDЦіна брутто для партій від 10 pcs - 28.65 USD