STGAP2SICSCTR
IC: driver; контролер затворів SiC MOSFET; SO8-W; -4÷4А; 1,2кВ
Виробник: STMicroelectronics
Позначення виробника:
STGAP2SICSCTR
Символ TME:
STGAP2SICSCTR
Специфікація
Виробник | STMicroelectronics | |
Тип інтегральної мікросхеми | driver | |
Вид об'єднаної схеми | контролер затворів SiC MOSFET | |
Корпус | SO8-W | |
Вихідний струм | -4...4А | |
Вихідна напруга | 1,2кВ | |
Кількість каналів | 1 | |
Властивості інтегральних мікросхем | гальванічне відокремлення | |
Монтаж | SMD | |
Робоча температура | -40...125°C | |
Вид упаковки | cтрічка, ролик |
Напруга живлення
- 3,1...5,5В
Маса брутто1 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Драйвери MOSFET/IGBT STMicroelectronics,
* STGAP2SICSCTRКількість штук (Кратність: 1 000)
0 на складі TME
Продукт на спеціальне замовлення