+1 500 000 výrobků v nabídce

7000 každodenně balíků

+300 000 zákazníků ze 150 zemí

Quick Buy Oblíbené
Košík

POZOR: Změna bankovního účtu TME Czech Republic s.r.o.

 Zde se dozvíte více

Kontaktujte svého zástupce u TME. Požádejte o schůzku.

2SD315AI

Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge

Výrobce: POWER INTEGRATIONS

Označení výrobce:
2SD315AI
Symbol TME:
2SD315AI

Specifikace

Výrobce
POWER INTEGRATIONS
Typ polovodičového modulu
gate driver board
Topologie
polomůstek IGBT, polomůstek MOSFET
Montáž
kolíková lišta
Pracovní teplota
-40...85°C
Technologie
SCALE™-1
Napěťová třída
1,7kV
Kmitočet
0,1MHz
Výstupní proud
18A
Druh výstupu
budič IGBT
Vlastnosti integrovaných obvodů
integrovaný měnič DC/DC
Napájecí napětí
  • 0...16V DC
Hmotnost brutto50 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Moduly IGBT POWER INTEGRATIONS,
*
2SD315AI
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 66.30 EURHrubá cena pro množství od 1 ks - 80.23 EUR
Čistá cena pro množství od 3 ks - 62.70 EURHrubá cena pro množství od 3 ks - 75.86 EUR
Čistá cena pro množství od 6 ks - 59.99 EURHrubá cena pro množství od 6 ks - 72.59 EUR
Čistá cena pro množství od 12 ks - 57.29 EURHrubá cena pro množství od 12 ks - 69.32 EUR
Čistá cena pro množství od 48 ks - 56.79 EURHrubá cena pro množství od 48 ks - 68.71 EUR
Počet kusů (Násobnost: 1)
Minimální množství, které je možné objednat: 1.
Násobnost: 1.