A1P35S12M3
Modul: IGBT; tranzistor/tranzistor; polomůstek IGBT x3; Ic: 35A
Výrobce: STMicroelectronics
Označení výrobce:
A1P35S12M3
Symbol TME:
A1P35S12M3
Specifikace
Výrobce | STMicroelectronics | |
Typ polovodičového modulu | IGBT | |
Struktura polovodiče | tranzistor/tranzistor | |
Topologie | polomůstek IGBT x3, termistor NTC | |
Max. závěrné napětí | 1,2kV | |
Proud kolektoru | 35A | |
Kryt | ACEPACK™1 | |
Použití | invertor, motory | |
Elektrická montáž | Press-in PCB | |
Napětí hradlo - emitor | ±20V | |
Impulsní proud kolektoru | 70A | |
Ztrátový výkon | 250W | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto24.84 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Moduly IGBT STMicroelectronics,
* A1P35S12M3Počet kusů (Násobnost: 1)
12 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 51.65 USDHrubá cena pro množství od 1 ks - 62.49 USD
Výrobek je dostupný pouze do vyčerpání skladových zásob
Způsob balení výrobcemKarton = 18 ks