A1P50S65M2
Modul: IGBT; tranzistor/tranzistor; polomůstek IGBT x3; Ic: 50A
Výrobce: STMicroelectronics
Označení výrobce:
A1P50S65M2
Symbol TME:
A1P50S65M2
Specifikace
Výrobce | STMicroelectronics | |
Typ polovodičového modulu | IGBT | |
Struktura polovodiče | tranzistor/tranzistor | |
Topologie | polomůstek IGBT x3, termistor NTC | |
Max. závěrné napětí | 650V | |
Proud kolektoru | 50A | |
Kryt | ACEPACK™1 | |
Použití | invertor, motory | |
Elektrická montáž | Press-in PCB | |
Napětí hradlo - emitor | ±20V | |
Impulsní proud kolektoru | 100A | |
Ztrátový výkon | 208W | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto50 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Moduly IGBT STMicroelectronics,
* A1P50S65M2Počet kusů (Násobnost: 1)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 36.59 GBPHrubá cena pro množství od 1 ks - 44.27 GBP
Čistá cena pro množství od 5 ks - 35.80 GBPHrubá cena pro množství od 5 ks - 43.32 GBP