A1P50S65M2
Modul: IGBT; tranzistor/tranzistor; polomůstek IGBT x3; Ic: 50A
Výrobce: STMicroelectronics
Označení výrobce:
A1P50S65M2
Symbol TME:
A1P50S65M2
Specifikace
Výrobce | STMicroelectronics | ||
Typ polovodičového modulu | IGBT | ||
Struktura polovodiče | tranzistor/tranzistor | ||
Topologie | polomůstek IGBT x3, termistor NTC | ||
Max. závěrné napětí | 650V | ||
Proud kolektoru | 50A | ||
Kryt | ACEPACK™1 | ||
Použití | invertor, motory | ||
Elektrická montáž | Press-in PCB | ||
Napětí hradlo - emitor | ±20V | ||
Impulsní proud kolektoru | 100A | ||
Ztrátový výkon | 208W | ||
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto50 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Moduly IGBT STMicroelectronics,
* A1P50S65M2Počet kusů (Násobnost: 1)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 43.05 EURHrubá cena pro množství od 1 ks - 52.09 EUR
Čistá cena pro množství od 5 ks - 42.13 EURHrubá cena pro množství od 5 ks - 50.97 EUR