A2P75S12M3
Modul: IGBT; tranzistor/tranzistor; polomůstek IGBT x3; Ic: 75A
Výrobce: STMicroelectronics
Označení výrobce:
A2P75S12M3
Symbol TME:
A2P75S12M3
Specifikace
Výrobce | STMicroelectronics | |
Typ polovodičového modulu | IGBT | |
Struktura polovodiče | tranzistor/tranzistor | |
Topologie | polomůstek IGBT x3, termistor NTC | |
Max. závěrné napětí | 1,2kV | |
Proud kolektoru | 75A | |
Kryt | ACEPACK™2 | |
Použití | invertor, motory | |
Elektrická montáž | Press-in PCB | |
Napětí hradlo - emitor | ±20V | |
Impulsní proud kolektoru | 150A | |
Ztrátový výkon | 454,5W | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto50 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Moduly IGBT STMicroelectronics
* A2P75S12M3Použijte níže uvedenou tabulku specifikací pro vyhledání podobných výrobků
Výrobek stažený z nabídky