+1 500 000 výrobků v nabídce
6000 každodenně balíků
+300 000 zákazníků ze 150 zemí
Oznamujeme, že dne 12.07.2026 v 08:00 -11:00 (CEST) hod. se mohou vyskytnout problémy s přístupem na webovou stránku a s objednávkami on-line. Omlouváme se za vzniklé potíže.
POZOR: Změna bankovního účtu TME Czech Republic s.r.o.
Zde se dozvíte víceKontaktujte svého zástupce u TME. Požádejte o schůzku.
Výrobce | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | ||
Struktura polovodiče | dioda SiC/tranzistor | ||
Napětí drain-source | 600V | ||
Proud drainu | 38A | ||
Kryt | SP1 | ||
Topologie | boost chopper, polomůstek MOSFET | ||
Elektrická montáž | Press-in PCB | ||
Odpor v sepnutém stavu | 45mΩ | ||
Impulsní proud kolektoru | 130A | ||
Ztrátový výkon | 250W | ||
Technologie | CoolMOS™, SiC | ||
Napětí gate-source | ±20V | ||
Mechanická montáž | přišroubováním |