APTGT50H60RT3G
Modul: IGBT; dioda/tranzistor; jednofázový diodový můstek; SP3F
Výrobce: MICROCHIP TECHNOLOGY
Označení výrobce:
APTGT50H60RT3G
Symbol TME:
APTGT50H60RT3G
Specifikace
Výrobce | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ polovodičového modulu | IGBT | |
Struktura polovodiče | dioda/tranzistor | |
Topologie | jednofázový diodový můstek, můstek H, termistor NTC | |
Max. závěrné napětí | 0,6kV | |
Proud kolektoru | 50A | |
Kryt | SP3F | |
Použití | fotovoltaika | |
Elektrická montáž | Press-in PCB | |
Napětí hradlo - emitor | ±20V | |
Impulsní proud kolektoru | 100A | |
Technologie | Field Stop, Trench | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto110 g
Certifikáty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. je dovozcem výrobků této značky
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Moduly IGBT MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTGT50H60RT3GPočet kusů (Násobnost: 14)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 14 ks - 55.99 EURHrubá cena pro množství od 14 ks - 67.75 EUR
Nabídka je k dispozici pro přihlášené zákazníky