+1 500 000 výrobků v nabídce
6000 každodenně balíků
+300 000 zákazníků ze 150 zemí
POZOR: Změna bankovního účtu TME Czech Republic s.r.o.
Zde se dozvíte víceKontaktujte svého zástupce u TME. Požádejte o schůzku.
Výrobce | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | dioda/tranzistor | |
Napětí drain-source | 1kV | |
Proud drainu | 110A | |
Kryt | SP6C | |
Topologie | jeden tranzistor + sériová dioda + paralelní dioda | |
Elektrická montáž | konektory FASTON, přišroubováním | |
Odpor v sepnutém stavu | 78mΩ | |
Impulsní proud kolektoru | 580A | |
Ztrátový výkon | 3,25kW | |
Technologie | POWER MOS 7® | |
Napětí gate-source | ±30V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |