B2M030120N
Modul; jeden tranzistor; 1,2kV; 47A; SOT227B; přišroubováním; 223W
Výrobce: BASiC SEMICONDUCTOR
Označení výrobce:
B2M030120N
Symbol TME:
B2M030120N
Specifikace
Výrobce | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 1,2kV | |
Proud drainu | 47A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 50mΩ | |
Impulsní proud kolektoru | 151A | |
Ztrátový výkon | 223W | |
Technologie | SiC | |
Druh kanálu | obohacený | |
Napětí gate-source | -4...18V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Vlastností polovodičových součástek
- integrated anti-parallel diode
- Kelvinovy vývody
Hmotnost brutto1 g
Certifikáty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. je dovozcem výrobků této značky
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules BASiC SEMICONDUCTOR,
* B2M030120NPočet kusů (Násobnost: 150)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 150 ks - 9.32 EURHrubá cena pro množství od 150 ks - 11.27 EUR