BGH50N65HF1
Tranzistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Výrobce: BASiC SEMICONDUCTOR
Označení výrobce:
BGH50N65HF1
Symbol TME:
BGH50N65HF1
Specifikace
Výrobce | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Typ tranzistoru | IGBT | |
Technologie | Field Stop, SiC SBD, Trench | |
Napětí kolektor-emitor | 650V | |
Proud kolektoru | 50A | |
Ztrátový výkon | 357W | |
Kryt | TO247-3 | |
Napětí hradlo - emitor | ±20V | |
Impulsní proud kolektoru | 200A | |
Montáž | THT | |
Náboj hradla | 308nC | |
Druh balení | tuba | |
Doba přítahu | 54ns | |
Doba odpadu | 256ns | |
Vlastností polovodičových součástek | integrated anti-parallel diode |
Hmotnost brutto6.245 g
Certifikáty
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. je dovozcem výrobků této značky
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Tranzistory IGBT THT BASiC SEMICONDUCTOR,
* BGH50N65HF1Počet kusů (Násobnost: 1)
57 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 13.44 USDHrubá cena pro množství od 1 ks - 16.26 USD
Čistá cena pro množství od 5 ks - 12.16 USDHrubá cena pro množství od 5 ks - 14.71 USD
Čistá cena pro množství od 30 ks - 10.70 USDHrubá cena pro množství od 30 ks - 12.95 USD
Čistá cena pro množství od 150 ks - 8.97 USDHrubá cena pro množství od 150 ks - 10.85 USD
Čistá cena pro množství od 600 ks - 8.65 USDHrubá cena pro množství od 600 ks - 10.47 USD
Způsob balení výrobcemTuba = 30 ks