+1 500 000 výrobků v nabídce

7000 každodenně balíků

+300 000 zákazníků ze 150 zemí

Quick Buy Oblíbené
Košík

POZOR: Změna bankovního účtu TME Czech Republic s.r.o.

Zde se dozvíte více

Kontaktujte svého zástupce u TME. Požádejte o schůzku.

BGH50N65ZF1

Tranzistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4


Výrobce: BASiC SEMICONDUCTOR

Označení výrobce:
BGH50N65ZF1
Symbol TME:
BGH50N65ZF1

Specifikace

Výrobce
BASiC SEMICONDUCTOR
Typ tranzistoru
IGBT
Technologie
Field Stop, SiC SBD, Trench
Napětí kolektor-emitor
650V
Proud kolektoru
50A
Ztrátový výkon
357W
Kryt
TO247-4
Napětí hradlo - emitor
±20V
Impulsní proud kolektoru
200A
Montáž
THT
Náboj hradla
308nC
Druh balení
tuba
Doba přítahu
54ns
Doba odpadu
476ns
Vlastností polovodičových součástek
integrated anti-parallel diode
Hmotnost brutto6.72 g
Certifikáty

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. je dovozcem výrobků této značky

Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Tranzistory IGBT THT BASiC SEMICONDUCTOR,
*
BGH50N65ZF1
26 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 8.40 EURHrubá cena pro množství od 1 ks - 10.17 EUR
Čistá cena pro množství od 5 ks - 7.57 EURHrubá cena pro množství od 5 ks - 9.15 EUR
Čistá cena pro množství od 30 ks - 6.69 EURHrubá cena pro množství od 30 ks - 8.08 EUR
Čistá cena pro množství od 150 ks - 5.60 EURHrubá cena pro množství od 150 ks - 6.78 EUR
Čistá cena pro množství od 600 ks - 5.41 EURHrubá cena pro množství od 600 ks - 6.54 EUR
Počet kusů (Násobnost: 1)
Minimální množství, které je možné objednat: 1.
Násobnost: 1.
Výrobek je dostupný pouze do vyčerpání skladových zásob
Způsob balení výrobcemTuba = 30 ks