+1 500 000 výrobků v nabídce

7000 každodenně balíků

+300 000 zákazníků ze 150 zemí

Quick Buy Oblíbené
Košík

POZOR: Změna bankovního účtu TME Czech Republic s.r.o.

Zde se dozvíte více

Kontaktujte svého zástupce u TME. Požádejte o schůzku.

BGH75N120HF1

Tranzistor: IGBT; SiC SBD; 1,2kV; 75A; 568W; TO247-3


Výrobce: BASiC SEMICONDUCTOR

Označení výrobce:
BGH75N120HF1
Symbol TME:
BGH75N120HF1

Specifikace

Výrobce
BASiC SEMICONDUCTOR
Typ tranzistoru
IGBT
Technologie
Field Stop, SiC SBD, Trench
Napětí kolektor-emitor
1,2kV
Proud kolektoru
75A
Ztrátový výkon
568W
Kryt
TO247-3
Napětí hradlo - emitor
±20V
Impulsní proud kolektoru
200A
Montáž
THT
Náboj hradla
398nC
Druh balení
tuba
Doba přítahu
140ns
Doba odpadu
443ns
Vlastností polovodičových součástek
integrated anti-parallel diode
Hmotnost brutto6.217 g
Certifikáty

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. je dovozcem výrobků této značky

Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Tranzistory IGBT THT BASiC SEMICONDUCTOR,
*
BGH75N120HF1
5 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 11.51 USDHrubá cena pro množství od 1 ks - 13.92 USD
Čistá cena pro množství od 3 ks - 10.40 USDHrubá cena pro množství od 3 ks - 12.59 USD
Čistá cena pro množství od 10 ks - 9.20 USDHrubá cena pro množství od 10 ks - 11.14 USD
Čistá cena pro množství od 30 ks - 8.28 USDHrubá cena pro množství od 30 ks - 10.01 USD
Počet kusů (Násobnost: 1)
Minimální množství, které je možné objednat: 1.
Násobnost: 1.
Způsob balení výrobcemTuba = 30 ks