+1 500 000 výrobků v nabídce
7000 každodenně balíků
+300 000 zákazníků ze 150 zemí
Kontaktujte svého zástupce u TME. Požádejte o schůzku.
Výrobce | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Typ tranzistoru | IGBT | |
Technologie | Field Stop, SiC SBD, Trench | |
Napětí kolektor-emitor | 650V | |
Proud kolektoru | 75A | |
Ztrátový výkon | 405W | |
Kryt | TO247-3 | |
Napětí hradlo - emitor | ±20V | |
Impulsní proud kolektoru | 300A | |
Montáž | THT | |
Náboj hradla | 444nC | |
Druh balení | tuba | |
Doba přítahu | 104ns | |
Doba odpadu | 376ns | |
Vlastností polovodičových součástek | integrated anti-parallel diode |