+1 500 000 výrobků v nabídce

7000 každodenně balíků

+300 000 zákazníků ze 150 zemí

Quick Buy Oblíbené
Košík

POZOR: Změna bankovního účtu TME Czech Republic s.r.o.

Zde se dozvíte více

Kontaktujte svého zástupce u TME. Požádejte o schůzku.

G3R20MT12N

Modul; jeden tranzistor; 1,2kV; 74A; SOT227B; přišroubováním; 365W

Výrobce: GeneSiC SEMICONDUCTOR

Označení výrobce:
G3R20MT12N
Symbol TME:
G3R20MT12N

Specifikace

Výrobce
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Typ polovodičového modulu
tranzistorový MOSFET
Struktura polovodiče
jeden tranzistor
Napětí drain-source
1,2kV
Proud drainu
74A
Kryt
SOT227B
Elektrická montáž
přišroubováním
Polarizace
unipolární
Odpor v sepnutém stavu
20mΩ
Impulsní proud kolektoru
240A
Ztrátový výkon
365W
Technologie
G3R™, SiC
Druh kanálu
obohacený
Napětí gate-source
-5...15V
Mechanická montáž
přišroubováním
Hmotnost brutto35.39 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules GeneSiC SEMICONDUCTOR,
*
G3R20MT12N
95 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 40.63 GBPHrubá cena pro množství od 1 ks - 49.16 GBP
Čistá cena pro množství od 5 ks - 39.03 GBPHrubá cena pro množství od 5 ks - 47.23 GBP
Čistá cena pro množství od 10 ks - 38.30 GBPHrubá cena pro množství od 10 ks - 46.34 GBP
Počet kusů (Násobnost: 1)
Způsob balení výrobcemTuba = 10 ks