IXFN100N50P
Modul; jeden tranzistor; 500V; 75A; SOT227B; přišroubováním; 240nC
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXFN100N50P
Symbol TME:
IXFN100N50P
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 500V | |
Proud drainu | 75A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 49mΩ | |
Impulsní proud kolektoru | 250A | |
Ztrátový výkon | 1,04kW | |
Technologie | HiPerFET™ | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 240nC | |
Doba zotavení | 200ns | |
Napětí gate-source | ±30V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto37.07 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN100N50PPočet kusů (Násobnost: 1)
278 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 39.00 EURHrubá cena pro množství od 1 ks - 47.20 EUR
Čistá cena pro množství od 10 ks - 37.50 EURHrubá cena pro množství od 10 ks - 45.38 EUR
Čistá cena pro množství od 30 ks - 36.00 EURHrubá cena pro množství od 30 ks - 43.56 EUR
Způsob balení výrobcemTuba = 10 ks