IXFN100N50Q3
Modul; jeden tranzistor; 500V; 82A; SOT227B; přišroubováním; 960W
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXFN100N50Q3
Symbol TME:
IXFN100N50Q3
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 500V | |
Proud drainu | 82A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 49mΩ | |
Impulsní proud kolektoru | 300A | |
Ztrátový výkon | 960W | |
Technologie | HiPerFET™, Q3-Class | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 255nC | |
Doba zotavení | 250ns | |
Napětí gate-source | ±40V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto35.83 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN100N50Q3Počet kusů (Násobnost: 1)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 63.31 EURHrubá cena pro množství od 1 ks - 76.60 EUR
Čistá cena pro množství od 3 ks - 55.92 EURHrubá cena pro množství od 3 ks - 67.67 EUR
Čistá cena pro množství od 10 ks - 50.23 EURHrubá cena pro množství od 10 ks - 60.78 EUR