IXFN100N65X2
Modul; jeden tranzistor; 650V; 78A; SOT227B; přišroubováním; 595W
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXFN100N65X2
Symbol TME:
IXFN100N65X2
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 650V | |
Proud drainu | 78A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 30mΩ | |
Impulsní proud kolektoru | 200A | |
Ztrátový výkon | 595W | |
Technologie | HiPerFET™, X2-Class | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 183nC | |
Doba zotavení | 200ns | |
Napětí gate-source | ±40V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto37.09 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN100N65X2Počet kusů (Násobnost: 1)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 29.21 EURHrubá cena pro množství od 1 ks - 35.34 EUR
Čistá cena pro množství od 10 ks - 23.30 EURHrubá cena pro množství od 10 ks - 28.20 EUR