IXFN102N30P
Modul; jeden tranzistor; 300V; 86A; SOT227B; přišroubováním; 570W
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXFN102N30P
Symbol TME:
IXFN102N30P
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 300V | |
Proud drainu | 86A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 33mΩ | |
Impulsní proud kolektoru | 250A | |
Ztrátový výkon | 570W | |
Technologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 224nC | |
Doba zotavení | 200ns | |
Napětí gate-source | ±30V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto36.99 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN102N30PPočet kusů (Násobnost: 1)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 24.12 EURHrubá cena pro množství od 1 ks - 29.18 EUR
Čistá cena pro množství od 2 ks - 23.03 EURHrubá cena pro množství od 2 ks - 27.87 EUR
Čistá cena pro množství od 3 ks - 22.08 EURHrubá cena pro množství od 3 ks - 26.72 EUR
Čistá cena pro množství od 5 ks - 20.51 EURHrubá cena pro množství od 5 ks - 24.82 EUR
Čistá cena pro množství od 10 ks - 19.35 EURHrubá cena pro množství od 10 ks - 23.42 EUR