IXFN110N60P3
Modul; jeden tranzistor; 600V; 90A; SOT227B; přišroubováním; 1500W
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXFN110N60P3
Symbol TME:
IXFN110N60P3
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 600V | |
Proud drainu | 90A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 56mΩ | |
Impulsní proud kolektoru | 275A | |
Ztrátový výkon | 1,5kW | |
Technologie | HiPerFET™, Polar3™ | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 254nC | |
Doba zotavení | 250ns | |
Napětí gate-source | ±40V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto35.71 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN110N60P3Počet kusů (Násobnost: 100)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 100 ks - 37.49 USDHrubá cena pro množství od 100 ks - 45.36 USD
Způsob balení výrobcemTuba = 10 ks