IXFN110N85X
Modul; jeden tranzistor; 850V; 110A; SOT227B; přišroubováním
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXFN110N85X
Symbol TME:
IXFN110N85X
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 850V | |
Proud drainu | 110A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 33mΩ | |
Impulsní proud kolektoru | 220A | |
Ztrátový výkon | 1,17kW | |
Technologie | HiPerFET™, X-Class | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 425nC | |
Doba zotavení | 205ns | |
Napětí gate-source | ±40V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto37.29 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN110N85XPočet kusů (Násobnost: 1)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 81.76 USDHrubá cena pro množství od 1 ks - 98.93 USD
Čistá cena pro množství od 5 ks - 75.44 USDHrubá cena pro množství od 5 ks - 91.28 USD
Čistá cena pro množství od 10 ks - 72.81 USDHrubá cena pro množství od 10 ks - 88.09 USD
Způsob balení výrobcemTuba = 10 ks