IXFN120N65X2
Modul; jeden tranzistor; 650V; 108A; SOT227B; přišroubováním; 890W
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXFN120N65X2
Symbol TME:
IXFN120N65X2
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 650V | |
Proud drainu | 108A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 24mΩ | |
Impulsní proud kolektoru | 240A | |
Ztrátový výkon | 890W | |
Technologie | HiPerFET™, X2-Class | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 240nC | |
Doba zotavení | 220ns | |
Napětí gate-source | ±40V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto37.11 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN120N65X2Počet kusů (Násobnost: 1)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 43.54 USDHrubá cena pro množství od 1 ks - 52.69 USD
Čistá cena pro množství od 5 ks - 41.09 USDHrubá cena pro množství od 5 ks - 49.73 USD
Způsob balení výrobcemTuba = 10 ks