IXFN170N30P
Modul; jeden tranzistor; 300V; 138A; SOT227B; přišroubováním; 890W
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXFN170N30P
Symbol TME:
IXFN170N30P
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 300V | |
Proud drainu | 138A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 18mΩ | |
Impulsní proud kolektoru | 500A | |
Ztrátový výkon | 890W | |
Technologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 258nC | |
Doba zotavení | 200ns | |
Napětí gate-source | ±30V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto29.8 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN170N30PPočet kusů (Násobnost: 1)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 38.83 EURHrubá cena pro množství od 1 ks - 46.99 EUR
Čistá cena pro množství od 3 ks - 37.63 EURHrubá cena pro množství od 3 ks - 45.53 EUR
Čistá cena pro množství od 10 ks - 35.13 EURHrubá cena pro množství od 10 ks - 42.51 EUR
Způsob balení výrobcemTuba = 10 ks