IXFN170N65X2
Modul; jeden tranzistor; 650V; 170A; SOT227B; přišroubováním
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXFN170N65X2
Symbol TME:
IXFN170N65X2
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 650V | |
Proud drainu | 170A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 13mΩ | |
Impulsní proud kolektoru | 340A | |
Ztrátový výkon | 1,17kW | |
Technologie | HiPerFET™, X2-Class | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 434nC | |
Doba zotavení | 270ns | |
Napětí gate-source | ±30V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto37.09 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN170N65X2Počet kusů (Násobnost: 1)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 46.34 EURHrubá cena pro množství od 1 ks - 56.07 EUR
Čistá cena pro množství od 5 ks - 41.45 EURHrubá cena pro množství od 5 ks - 50.16 EUR
Čistá cena pro množství od 10 ks - 38.92 EURHrubá cena pro množství od 10 ks - 47.09 EUR
Způsob balení výrobcemTuba = 10 ks