IXFN180N20
Modul; 200V; 180A; SOT227B; 700W; HiPerFET™; 250ns; přišroubováním
NOVINKA
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXFN180N20
Symbol TME:
IXFN180N20
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Napětí drain-source | 200V | |
Proud drainu | 180A | |
Kryt | SOT227B | |
Odpor v sepnutém stavu | 12,5mΩ | |
Ztrátový výkon | 700W | |
Technologie | HiPerFET™ | |
Doba zotavení | 250ns | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto1 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN180N20Počet kusů (Násobnost: 300)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 300 ks - 46.13 USDHrubá cena pro množství od 300 ks - 55.82 USD