IXFN210N20P
Modul; jeden tranzistor; 200V; 188A; SOT227B; přišroubováním
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXFN210N20P
Symbol TME:
IXFN210N20P
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 200V | |
Proud drainu | 188A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 10,5mΩ | |
Impulsní proud kolektoru | 600A | |
Ztrátový výkon | 1,07kW | |
Technologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 255nC | |
Doba zotavení | 200ns | |
Napětí gate-source | ±30V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto37.01 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN210N20PPočet kusů (Násobnost: 1)
291 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 40.83 USDHrubá cena pro množství od 1 ks - 49.40 USD
Čistá cena pro množství od 10 ks - 39.32 USDHrubá cena pro množství od 10 ks - 47.57 USD
Čistá cena pro množství od 20 ks - 37.92 USDHrubá cena pro množství od 20 ks - 45.88 USD
Čistá cena pro množství od 50 ks - 36.41 USDHrubá cena pro množství od 50 ks - 44.05 USD
Čistá cena pro množství od 100 ks - 35.01 USDHrubá cena pro množství od 100 ks - 42.36 USD
Způsob balení výrobcemTuba = 10 ks