IXFN210N30P3
Modul; jeden tranzistor; 300V; 192A; SOT227B; přišroubováním
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXFN210N30P3
Symbol TME:
IXFN210N30P3
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 300V | |
Proud drainu | 192A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 14,5mΩ | |
Impulsní proud kolektoru | 550A | |
Ztrátový výkon | 1,5kW | |
Technologie | HiPerFET™, Polar3™ | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 268nC | |
Doba zotavení | 250ns | |
Napětí gate-source | ±30V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto37.05 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS
* IXFN210N30P3Použijte níže uvedenou tabulku specifikací pro vyhledání podobných výrobků
Výrobek stažený z nabídky
Způsob balení výrobcemTuba = 10 ks