IXFN26N100P
Modul; jeden tranzistor; 1kV; 23A; SOT227B; přišroubováním; 595W
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXFN26N100P
Symbol TME:
IXFN26N100P
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 1kV | |
Proud drainu | 23A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 390mΩ | |
Impulsní proud kolektoru | 65A | |
Ztrátový výkon | 595W | |
Technologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 197nC | |
Doba zotavení | 300ns | |
Napětí gate-source | ±40V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto37.04 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN26N100PPočet kusů (Násobnost: 1)
6 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 36.30 EURHrubá cena pro množství od 1 ks - 43.93 EUR
Čistá cena pro množství od 3 ks - 32.04 EURHrubá cena pro množství od 3 ks - 38.77 EUR
Čistá cena pro množství od 10 ks - 28.80 EURHrubá cena pro množství od 10 ks - 34.85 EUR
Výrobek je dostupný pouze do vyčerpání skladových zásob
Způsob balení výrobcemTuba = 10 ks