IXFN320N17T2
Modul; jeden tranzistor; 170V; 260A; SOT227B; přišroubováním
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXFN320N17T2
Symbol TME:
IXFN320N17T2
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 170V | |
Proud drainu | 260A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 5,2mΩ | |
Impulsní proud kolektoru | 800A | |
Ztrátový výkon | 1,07kW | |
Technologie | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 640nC | |
Doba zotavení | 150ns | |
Napětí gate-source | ±30V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto36.9 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN320N17T2Počet kusů (Násobnost: 1)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 43.67 GBPHrubá cena pro množství od 1 ks - 52.84 GBP
Čistá cena pro množství od 3 ks - 38.62 GBPHrubá cena pro množství od 3 ks - 46.73 GBP
Čistá cena pro množství od 10 ks - 34.68 GBPHrubá cena pro množství od 10 ks - 41.96 GBP
Způsob balení výrobcemTuba = 10 ks