IXFN32N120P
Modul; jeden tranzistor; 1,2kV; 32A; SOT227B; přišroubováním
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXFN32N120P
Symbol TME:
IXFN32N120P
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 1,2kV | |
Proud drainu | 32A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 0,31Ω | |
Impulsní proud kolektoru | 100A | |
Ztrátový výkon | 1kW | |
Technologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 360nC | |
Doba zotavení | 300ns | |
Napětí gate-source | ±40V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto37.27 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN32N120PPočet kusů (Násobnost: 1)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 94.52 USDHrubá cena pro množství od 1 ks - 114.37 USD
Čistá cena pro množství od 3 ks - 83.49 USDHrubá cena pro množství od 3 ks - 101.02 USD
Čistá cena pro množství od 10 ks - 75.01 USDHrubá cena pro množství od 10 ks - 90.77 USD
Produkt těžko dostupný
Způsob balení výrobcemTuba = 10 ks