IXFN32N80P
Modul; jeden tranzistor; 800V; 29A; SOT227B; přišroubováním; 625W
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXFN32N80P
Symbol TME:
IXFN32N80P
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 800V | |
Proud drainu | 29A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 0,27Ω | |
Impulsní proud kolektoru | 250A | |
Ztrátový výkon | 625W | |
Technologie | HiPerFET™, PolarHV™ | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 150nC | |
Doba zotavení | 250ns | |
Napětí gate-source | ±40V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto36.98 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN32N80PPočet kusů (Násobnost: 1)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 34.54 USDHrubá cena pro množství od 1 ks - 41.79 USD
Čistá cena pro množství od 3 ks - 31.14 USDHrubá cena pro množství od 3 ks - 37.68 USD
Čistá cena pro množství od 10 ks - 27.40 USDHrubá cena pro množství od 10 ks - 33.15 USD
Způsob balení výrobcemTuba = 10 ks