IXFN360N10T
Modul; jeden tranzistor; 100V; 360A; SOT227B; přišroubováním; 830W
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXFN360N10T
Symbol TME:
IXFN360N10T
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 100V | |
Proud drainu | 360A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 2,6mΩ | |
Impulsní proud kolektoru | 900A | |
Ztrátový výkon | 830W | |
Technologie | GigaMOS™, HiPerFET™ | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 525nC | |
Doba zotavení | 130ns | |
Napětí gate-source | ±30V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto36.9 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN360N10TPočet kusů (Násobnost: 1)
244 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 25.86 USDHrubá cena pro množství od 1 ks - 31.29 USD
Čistá cena pro množství od 5 ks - 24.93 USDHrubá cena pro množství od 5 ks - 30.17 USD
Čistá cena pro množství od 10 ks - 23.88 USDHrubá cena pro množství od 10 ks - 28.90 USD
Čistá cena pro množství od 20 ks - 23.36 USDHrubá cena pro množství od 20 ks - 28.26 USD
Čistá cena pro množství od 50 ks - 22.38 USDHrubá cena pro množství od 50 ks - 27.08 USD
Způsob balení výrobcemTuba = 10 ksKarton = 60 ks