IXFN360N15T2
Modul; jeden tranzistor; 150V; 310A; SOT227B; přišroubováním
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXFN360N15T2
Symbol TME:
IXFN360N15T2
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 150V | |
Proud drainu | 310A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 4mΩ | |
Impulsní proud kolektoru | 900A | |
Ztrátový výkon | 1,07kW | |
Technologie | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 715nC | |
Doba zotavení | 150ns | |
Napětí gate-source | ±30V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto37.17 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN360N15T2Počet kusů (Násobnost: 300)
0 skladem v TME
Produkt na zvláštní objednávku
Způsob balení výrobcemTuba = 10 ks