IXFN36N100
Modul; jeden tranzistor; 1kV; 36A; SOT227B; přišroubováním; 694W
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXFN36N100
Symbol TME:
IXFN36N100
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 1kV | |
Proud drainu | 36A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 0,24Ω | |
Impulsní proud kolektoru | 144A | |
Ztrátový výkon | 694W | |
Technologie | HiPerFET™ | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 380nC | |
Doba zotavení | 180ns | |
Napětí gate-source | ±30V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto37.27 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN36N100Počet kusů (Násobnost: 1)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 101.00 USDHrubá cena pro množství od 1 ks - 122.20 USD
Čistá cena pro množství od 3 ks - 89.23 USDHrubá cena pro množství od 3 ks - 107.97 USD
Čistá cena pro množství od 10 ks - 80.15 USDHrubá cena pro množství od 10 ks - 96.98 USD
Způsob balení výrobcemTuba = 10 ks