IXFN38N100P
Modul; jeden tranzistor; 1kV; 38A; SOT227B; přišroubováním; 1000W
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXFN38N100P
Symbol TME:
IXFN38N100P
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 1kV | |
Proud drainu | 38A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 0,21Ω | |
Impulsní proud kolektoru | 120A | |
Ztrátový výkon | 1kW | |
Technologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 0,35µC | |
Doba zotavení | 300ns | |
Napětí gate-source | ±40V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto37.24 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN38N100PPočet kusů (Násobnost: 1)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 39.72 EURHrubá cena pro množství od 1 ks - 48.05 EUR
Čistá cena pro množství od 10 ks - 37.22 EURHrubá cena pro množství od 10 ks - 45.03 EUR
Způsob balení výrobcemTuba = 10 ks