IXFN44N100P
Modul; jeden tranzistor; 1kV; 37A; SOT227B; přišroubováním; 890W
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXFN44N100P
Symbol TME:
IXFN44N100P
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 1kV | |
Proud drainu | 37A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 0,22Ω | |
Impulsní proud kolektoru | 110A | |
Ztrátový výkon | 890W | |
Technologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 0,35µC | |
Doba zotavení | 300ns | |
Napětí gate-source | ±40V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto37.12 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN44N100PPočet kusů (Násobnost: 1)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 29.67 GBPHrubá cena pro množství od 1 ks - 35.90 GBP
Čistá cena pro množství od 10 ks - 27.58 GBPHrubá cena pro množství od 10 ks - 33.37 GBP
Způsob balení výrobcemTuba = 10 ks