IXFN52N100X
Modul; jeden tranzistor; 1kV; 44A; SOT227B; přišroubováním; 830W
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXFN52N100X
Symbol TME:
IXFN52N100X
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 1kV | |
Proud drainu | 44A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 0,125Ω | |
Impulsní proud kolektoru | 100A | |
Ztrátový výkon | 830W | |
Technologie | HiPerFET™, X-Class | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 245nC | |
Doba zotavení | 260ns | |
Napětí gate-source | ±40V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto35.82 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN52N100XPočet kusů (Násobnost: 1)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 62.63 USDHrubá cena pro množství od 1 ks - 75.78 USD
Čistá cena pro množství od 10 ks - 54.18 USDHrubá cena pro množství od 10 ks - 65.56 USD
Čistá cena pro množství od 100 ks - 47.61 USDHrubá cena pro množství od 100 ks - 57.61 USD
Způsob balení výrobcemTuba = 10 ks