IXFN55N50
Modul; jeden tranzistor; 500V; 55A; SOT227B; přišroubováním; 625W
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXFN55N50
Symbol TME:
IXFN55N50
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 500V | |
Proud drainu | 55A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 80mΩ | |
Impulsní proud kolektoru | 220A | |
Ztrátový výkon | 625W | |
Technologie | HiPerFET™ | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 330nC | |
Doba zotavení | 250ns | |
Napětí gate-source | ±40V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto36.7 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN55N50Počet kusů (Násobnost: 300)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 300 ks - 29.54 EURHrubá cena pro množství od 300 ks - 35.74 EUR