IXFN56N90P
Modul; jeden tranzistor; 900V; 56A; SOT227B; přišroubováním; 1000W
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXFN56N90P
Symbol TME:
IXFN56N90P
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 900V | |
Proud drainu | 56A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 0,145Ω | |
Impulsní proud kolektoru | 168A | |
Ztrátový výkon | 1kW | |
Technologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 375nC | |
Doba zotavení | 300ns | |
Napětí gate-source | ±40V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto37.34 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN56N90PPočet kusů (Násobnost: 300)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 300 ks - 37.12 GBPHrubá cena pro množství od 300 ks - 44.92 GBP
Způsob balení výrobcemTuba = 10 ks