IXFN64N60P
Modul; jeden tranzistor; 600V; 50A; SOT227B; přišroubováním; 700W
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXFN64N60P
Symbol TME:
IXFN64N60P
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 600V | |
Proud drainu | 50A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 96mΩ | |
Impulsní proud kolektoru | 150A | |
Ztrátový výkon | 700W | |
Technologie | HiPerFET™, PolarHV™ | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 200nC | |
Doba zotavení | 200ns | |
Napětí gate-source | ±40V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto35.84 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN64N60PPočet kusů (Násobnost: 1)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 29.40 EURHrubá cena pro množství od 1 ks - 35.57 EUR
Čistá cena pro množství od 10 ks - 25.52 EURHrubá cena pro množství od 10 ks - 30.88 EUR
Čistá cena pro množství od 20 ks - 24.62 EURHrubá cena pro množství od 20 ks - 29.79 EUR
Způsob balení výrobcemTuba = 10 ks