IXFN66N85X
Modul; jeden tranzistor; 850V; 65A; SOT227B; přišroubováním; 830W
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXFN66N85X
Symbol TME:
IXFN66N85X
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 850V | |
Proud drainu | 65A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 65mΩ | |
Impulsní proud kolektoru | 140A | |
Ztrátový výkon | 830W | |
Technologie | HiPerFET™, X-Class | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 230nC | |
Doba zotavení | 250ns | |
Napětí gate-source | ±40V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto37.04 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN66N85XPočet kusů (Násobnost: 1)
1 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 52.56 USDHrubá cena pro množství od 1 ks - 63.60 USD
Čistá cena pro množství od 3 ks - 46.43 USDHrubá cena pro množství od 3 ks - 56.18 USD
Čistá cena pro množství od 10 ks - 41.68 USDHrubá cena pro množství od 10 ks - 50.43 USD
Způsob balení výrobcemCívka = 10 ks