IXFN80N50P
Modul; jeden tranzistor; 500V; 66A; SOT227B; přišroubováním; 700W
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXFN80N50P
Symbol TME:
IXFN80N50P
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 500V | |
Proud drainu | 66A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 65mΩ | |
Impulsní proud kolektoru | 200A | |
Ztrátový výkon | 700W | |
Technologie | HiPerFET™, PolarHV™ | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 195nC | |
Doba zotavení | 200ns | |
Napětí gate-source | ±30V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto30 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN80N50PPočet kusů (Násobnost: 300)
0 skladem v TME
Produkt na zvláštní objednávku
Způsob balení výrobcemTuba = 10 ks