IXFN80N60P3
Modul; jeden tranzistor; 600V; 66A; SOT227B; přišroubováním; 960W
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXFN80N60P3
Symbol TME:
IXFN80N60P3
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 600V | |
Proud drainu | 66A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 77mΩ | |
Impulsní proud kolektoru | 200A | |
Ztrátový výkon | 960W | |
Technologie | HiPerFET™, Polar3™ | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 0,19µC | |
Doba zotavení | 250ns | |
Napětí gate-source | ±40V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto37.1 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN80N60P3Počet kusů (Násobnost: 1)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 33.62 USDHrubá cena pro množství od 1 ks - 40.68 USD
Čistá cena pro množství od 10 ks - 27.33 USDHrubá cena pro množství od 10 ks - 33.06 USD
Čistá cena pro množství od 20 ks - 25.15 USDHrubá cena pro množství od 20 ks - 30.43 USD
Čistá cena pro množství od 50 ks - 23.30 USDHrubá cena pro množství od 50 ks - 28.20 USD
Způsob balení výrobcemTuba = 10 ks