IXFN82N60P
Modul; jeden tranzistor; 600V; 72A; SOT227B; přišroubováním; 1040W
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXFN82N60P
Symbol TME:
IXFN82N60P
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 600V | |
Proud drainu | 72A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 75mΩ | |
Impulsní proud kolektoru | 200A | |
Ztrátový výkon | 1,04kW | |
Technologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 240nC | |
Doba zotavení | 200ns | |
Napětí gate-source | ±40V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto29.69 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN82N60PPočet kusů (Násobnost: 1)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 42.90 USDHrubá cena pro množství od 1 ks - 51.91 USD
Čistá cena pro množství od 10 ks - 35.16 USDHrubá cena pro množství od 10 ks - 42.54 USD
Čistá cena pro množství od 100 ks - 32.94 USDHrubá cena pro množství od 100 ks - 39.86 USD
Způsob balení výrobcemTuba = 10 ks