IXFN82N60Q3
Modul; jeden tranzistor; 600V; 66A; SOT227B; přišroubováním; 960W
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXFN82N60Q3
Symbol TME:
IXFN82N60Q3
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 600V | |
Proud drainu | 66A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 75mΩ | |
Impulsní proud kolektoru | 240A | |
Ztrátový výkon | 960W | |
Technologie | HiPerFET™, Q3-Class | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 275nC | |
Doba zotavení | 300ns | |
Napětí gate-source | ±40V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto27.3 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN82N60Q3Počet kusů (Násobnost: 1)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 49.49 EURHrubá cena pro množství od 1 ks - 59.89 EUR
Čistá cena pro množství od 3 ks - 46.57 EURHrubá cena pro množství od 3 ks - 56.34 EUR
Čistá cena pro množství od 10 ks - 44.21 EURHrubá cena pro množství od 10 ks - 53.50 EUR
Způsob balení výrobcemTuba = 10 ks