IXGN200N170
Modul: IGBT; jeden tranzistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 160A; SOT227B; NPT
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXGN200N170
Symbol TME:
IXGN200N170
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | IGBT | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Max. závěrné napětí | 1,7kV | |
Proud kolektoru | 160A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Napětí hradlo - emitor | ±20V | |
Impulsní proud kolektoru | 1,05kA | |
Ztrátový výkon | 1,25kW | |
Technologie | NPT | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto30 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Moduly IGBT IXYS,
* IXGN200N170Počet kusů (Násobnost: 1)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 56.67 EURHrubá cena pro množství od 1 ks - 68.56 EUR
Čistá cena pro množství od 5 ks - 52.23 EURHrubá cena pro množství od 5 ks - 63.20 EUR
Čistá cena pro množství od 10 ks - 50.40 EURHrubá cena pro množství od 10 ks - 60.99 EUR