IXGN400N30A3
Modul: IGBT; jeden tranzistor; Urmax: 300V; Ic: 200A; SOT227B; 735W
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXGN400N30A3
Symbol TME:
IXGN400N30A3
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | IGBT | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Max. závěrné napětí | 300V | |
Proud kolektoru | 200A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Napětí hradlo - emitor | ±20V | |
Impulsní proud kolektoru | 1,2kA | |
Ztrátový výkon | 735W | |
Technologie | GenX3™, PT | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto30 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Moduly IGBT IXYS
* IXGN400N30A3Použijte níže uvedenou tabulku specifikací pro vyhledání podobných výrobků
Výrobek stažený z nabídky