IXKN75N60C
Modul; jeden tranzistor; 600V; 50A; SOT227B; přišroubováním; 560W
Výrobce: IXYS
Označení výrobce:
IXKN75N60C
Symbol TME:
IXKN75N60C
Specifikace
Výrobce | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Struktura polovodiče | jeden tranzistor | |
Napětí drain-source | 600V | |
Proud drainu | 50A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | přišroubováním | |
Polarizace | unipolární | |
Odpor v sepnutém stavu | 36mΩ | |
Impulsní proud kolektoru | 250A | |
Ztrátový výkon | 560W | |
Technologie | CoolMOS™ | |
Druh kanálu | obohacený | |
Náboj hradla | 500nC | |
Doba zotavení | 580ns | |
Napětí gate-source | ±20V | |
Mechanická montáž | přišroubováním |
Hmotnost brutto36.01 g
Certifikáty
Prohlédněte si ostatní výrobky z této kategorie: Transistor modules IXYS,
* IXKN75N60CPočet kusů (Násobnost: 1)
0 skladem v TME
Čistá cena pro množství od 1 ks - 65.54 USDHrubá cena pro množství od 1 ks - 79.31 USD
Čistá cena pro množství od 3 ks - 62.21 USDHrubá cena pro množství od 3 ks - 75.27 USD
Čistá cena pro množství od 5 ks - 61.34 USDHrubá cena pro množství od 5 ks - 74.22 USD
Způsob balení výrobcemTuba = 10 ks